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今日，韩国半导体公司SK海力士宣布成功开发出面向AI的高性能DRAM（动态随机存取存储器）新产品HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证，将于明年上半年投入量产。据称，HBM3E每秒最高可处理1.15TB的数据，其散热性能与上一代产品HBM3相比提高了10%，且具备向后兼容性，可直接用于基于HBM3组成的系统。
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